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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Confronto
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs AMD R7S44G2606U1S 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
AMD R7S44G2606U1S 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
46
Intorno -130% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.9
12.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
7.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
20
Velocità di lettura, GB/s
12.2
18.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.9
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2072
2707
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
INTENSO 5641162 8GB
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