RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Confronto
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
46
Intorno -39% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
12.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
7.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
33
Velocità di lettura, GB/s
12.2
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.9
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2072
2987
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link