RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
46
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2072
2987
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingston ACR128X64D2S800C6 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link