RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
62
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
52
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
2306
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link