RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
62
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
52
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
2306
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link