RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
52
62
Около -19% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.3
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
52
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
10.0
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
2306
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link