RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3142
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link