RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
52
Около 54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
52
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
10.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2306
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link