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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Confronto
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
47
Intorno -62% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
29
Velocità di lettura, GB/s
11.8
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2061
3409
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
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