RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
47
Около -62% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
29
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
17.2
Скорость записи, Гб/сек
8.0
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
3409
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link