RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Confronto
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
47
63
Intorno 25% latenza inferiore
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
63
Velocità di lettura, GB/s
11.8
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2061
1863
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link