RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
63
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
63
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
1863
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link