RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Confronto
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
47
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
31
Velocità di lettura, GB/s
11.8
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2061
3509
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link