RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
47
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3509
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link