RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Confronto
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
47
Intorno -42% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
33
Velocità di lettura, GB/s
11.8
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2061
3315
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link