RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Confronto
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
47
Intorno -68% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.1
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
28
Velocità di lettura, GB/s
11.8
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2061
3593
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link