RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
47
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
18.0
Скорость записи, Гб/сек
8.0
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
3593
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link