RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Confronto
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
47
Intorno -104% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
23
Velocità di lettura, GB/s
11.8
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2061
2631
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link