RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
47
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.9
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
23
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
16.6
Скорость записи, Гб/сек
8.0
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
2631
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link