RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Confronto
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
7.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
47
Intorno -88% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.4
11.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
25
Velocità di lettura, GB/s
11.8
13.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2061
2098
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link