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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
47
左右 -88% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
11.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
25
读取速度,GB/s
11.8
13.4
写入速度,GB/s
8.0
7.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2098
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
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