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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Confronto
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
47
Intorno -38% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
34
Velocità di lettura, GB/s
11.8
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2061
2739
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
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