Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

29 56

Intorno 48% latenza inferiore

Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

20.1 12.1

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

10.5 7.8

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 12800

Intorno 1.5 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2177 2455

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns