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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Confronto
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
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Specifiche tecniche
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
47
Intorno -9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
12800
Intorno 1.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
43
Velocità di lettura, GB/s
11.8
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
23400
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2061
2794
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
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Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
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