RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
47
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
12800
Wokół strony 1.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
43
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
23400
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
2794
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link