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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Confronto
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
47
55
Intorno 15% latenza inferiore
Motivi da considerare
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
55
Velocità di lettura, GB/s
11.8
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2061
2699
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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