RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
55
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
55
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
2699
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link