RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Confronto
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
47
62
Intorno 24% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
6.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
11.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
62
Velocità di lettura, GB/s
11.8
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
6.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2061
1586
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link