RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
62
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
6.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
62
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
1586
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link