RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Confronto
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
47
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.7
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
31
Velocità di lettura, GB/s
11.8
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
14.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2061
3444
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link