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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
47
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
31
读取速度,GB/s
11.8
17.9
写入速度,GB/s
8.0
14.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
3444
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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