RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Confronto
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
42
Intorno -27% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
33
Velocità di lettura, GB/s
12.0
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1933
3595
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link