RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
42
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1933
3595
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link