RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
58
Wokół strony -115% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3563
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link