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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Confronto
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
86
Intorno 51% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.2
5.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.1
12
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
86
Velocità di lettura, GB/s
12.0
12.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
5.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1933
1220
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
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