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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Comparez
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Note globale
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
86
Autour de 51% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.2
5.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.1
12
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
86
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
12.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
5.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1933
1220
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
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