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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Confronto
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
42
Intorno -2% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.3
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
7.2
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
42
41
Velocità di lettura, GB/s
12.0
13.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1933
2016
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
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