RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
45
Intorno -15% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.3
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
39
Velocità di lettura, GB/s
12.0
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
3027
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link