RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
45
Около -15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.2
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
39
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
15.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
3027
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link