RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB против Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Средняя оценка
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
56
Около -51% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.6
1,925.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
37
Скорость чтения, Гб/сек
4,315.2
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,925.7
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
658
2808
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Сравнения RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link