RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

総合得点
star star star star star
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 16
    テスト平均値
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB 考慮すべき理由
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 56
    周辺 -51% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.6 left arrow 1,925.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    56 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    4,315.2 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,925.7 left arrow 12.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    658 left arrow 2808

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB RAMの比較

ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
メモリRAM
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
メモリRAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
メモリRAM
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
メモリRAM