RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2358
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link