RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
36
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2358
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link