RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
36
Intorno 33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
9.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
36
Velocità di lettura, GB/s
16.0
13.3
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
9.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2358
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link