RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
36
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
36
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
2358
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link