RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Сравнить
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
-->
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
36
Около 39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
36
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
13.3
Скорость записи, Гб/сек
12.7
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3075
2358
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link