RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3461
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link