RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
60
Около -94% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
15.0
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2477
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link