RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,168.2
11.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
60
Por volta de -94% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
11.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
2477
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link