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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
45
Intorno -67% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
27
Velocità di lettura, GB/s
12.0
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
3288
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905713-017.A00G 4GB
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Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
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