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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
11.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
48
62
Intorno -29% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
1,658.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
48
Velocità di lettura, GB/s
4,216.7
11.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,658.4
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
688
2466
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
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